A New Approach to Defect Reduction in Non polar a GaN Sidewall Lateral Epitaxial Overgrowth SLEO


İMER M. B. , WU F., SPECK J. S. , DENBAARS S. P.

6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), Bremen, Almanya, 29 Ağustos - 02 Eylül 2005

  • Basıldığı Şehir: Bremen
  • Basıldığı Ülke: Almanya