A New Approach to Defect Reduction in Non polar a GaN Sidewall Lateral Epitaxial Overgrowth SLEO

İMER M. B., WU F., SPECK J. S., DENBAARS S. P.

6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), Bremen, Almanya, 29 Ağustos - 02 Eylül 2005, (Özet Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Bremen
  • Basıldığı Ülke: Almanya
  • Orta Doğu Teknik Üniversitesi Adresli: Hayır