The growth of SNSBSE2 crystal and the investigation ofphysical properties of thermally evaporated snsbse2 thinfilms
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2022
Tezin Dili: İngilizce
Öğrenci: TUNÇ BEKTAŞ
Danışman: AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Bu çalışma SnSbSe kristal yapısının ve SnSbSe ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerini karakterize etmeyi amaçlamaktadır. Bu amaç doğrultusunda SnSbSe kristal yapısı dikey Bridgman yöntemiyle, SnSbSe ince filmler ise cam alttaş üzerine ısıl buharlaştırma yöntemiyle büyütülmüştür. SnSbSe kristalinin yapısal özellikleri, enerji dağılım X-ışını, taramalı elektron mikroskopi, X-ışını kırınımı ve Raman spektroskopi yöntemleriyle analiz edilmiştir. Ayrıca, malzemenin optik özellikleri elipsometri yöntemiyle incelenerek kırıcılık indisi, sönüm katsayısı ve yasak enerji bant aralığı elde edilmiştir. Söz konusu kristalin iletkenliğini ve bu iletkenliğin ışığa olan tepkisini incelemek amacıyla karanlık ortamda ve ışık altında akım-voltaj ölçümü yapılmıştır. Farklı tavlama sıcaklıklarının SnSbSe ince filmlerin fiziksel özelliklerine olan etkisini incelemek amacıyla ince filmler 100 ◦C, 200 ◦C, 300 ◦C and 400 ◦C sıcaklıklarda 30 dakika süreyle tavlanmıştır. Söz konusu ince film örneklerin yapısal özellikleri enerji dağılım X-ışını, taramalı elektron mikroskopi, X-ışını kırınımı, Raman spektroskopi ve atomik kuvvet mikroskopi yöntemleriyle analiz edilmiştir. SnSbSe ince filmlerin optik özellikleri Ultraviole-Görünür ışık spektoskopi yöntemiyle karakterize edilmiş, örneklerin soğurma katsayıları, yasak enerji bant aralıkları ve farklı tavlama sıcaklıklarının bant aralığına olan etkisi değerlendirilmiştir. SnSbSe ince filmlerin iletkenlikleri ve aktivasyon enerjileri sıcaklık bağımlı ışık-kondüktivite ölçümleri sonucunda hesaplanmıştır.