Electirical transport in metal-oxide-semiconductor capacitors

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2004

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: MUSTAFA ARIKAN

Danışman: RAŞİT TURAN

Özet:

oz METAL-OKSİT-YARI İLETKEN KONDANSATÖRLERDE ELEKTRİKSEL TAŞIMA Arıkan, Mustafa Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Raşit Turan Ağustos 2004, 75 sayfa Metal-Oksit-Yarı iletken (MOS) kondansatörlerdeki elektriksel taşıma mekanizmaları incelendi. Bu çalışmada kullanılan aygıtlar akım-gerilim yöntemleri kullanılarak karakterize edildi. Fiziksel katsayı çıkarımı ve bilgisayarla yaratılmış verilerin uyumu yöntemleri deneysel verilere uygulandı. İki aygıt incelendi: Göreceli kalın oksit (125 nm) ve aşırı ince oksit (3 nm) MOS yapıları. Bu aygıtların gerilim ve sıcaklık bağımlılıkları günümüzdeki akım-gerilim modelleri kullanılarak açıklandı. Anahtar kelimeler: Metal-Oksit-Yarı iletken, aşırı ince oksit, Schottky salımı, Fowler- Nordheim, Poole-Frenkel, kapan..