Adsorption of O, H and water and stepped Si (100) surface
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 1997
Tezin Dili: İngilizce
Öğrenci: SALMAN SAED AMİN
Danışman: ŞENAY KATIRCIOĞLU
Özet:ÖZ HİDROJEN, OKSİJEN VE SUYUN BASAMAKLI SI (IOO) YÜZEYİNE YAPIŞMASI SALMAN, Saed Amin Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Şenay KATIRCIOĞLU Temmuz 1997, 60 sayfa Bu çalışmada, suyun basamaklı Si(100) yüzeyine uygun bağlanma şeklini bulmak için, suyun mümkün olan yapışma modelleri incelenmiştir. Düşünülen bağlanma şekillerinden birincisinde, su, O ve OH molekülüne ayrılarak, ikincisinde H20 molekülü olarak basamaklı Si(100) yüzeyine yapışır. Dış güdümlü Si(100) sıkı bağ yöntemiyle (ETB) su ( molekül veya ayrışmış olarak) - basamaklı Si(100) sistemleri üzerinde bir dizi durum yoğunluğu hesaplamaları yapılmıştır. Elde edilen toplam durum yoğunluğu sonuçlarına göre, suyun, O ve OH molekülüne ayrışarak düz ve basamaklı Si(100) yüzeylerine yapıştığı anlaşılmıştır.Bu çalışmada ayrıca basamaklı Si(100) yüzeyinin hidrojenlenmesi ve oksitlenmesininin başlangıç aşamaları belli sayıda alman hidrojen ve oksijen atomlarıyla incelenmiştir. ETB metoduyla bulunan toplam elektronik enerji hesaplamalarına göre, basamaklı Si(100) yüzeyinin hidrojenlenmesinin başlangıç aşamasında, hidrojen atomları basamak bölgesine ikinci derecede yakın alt basamak bölgesinin yüzey Si atomlarına bağlanırken, oksitlenmenin başlangıç aşamasında oksijen atomları basamak bölgesindeki Si atomlarını tercih etmektedirler. Anahtar kelimeler: Diş güdümlü sıkı bağ yöntemi (ETB), düz Si(100) yüzeyi, basamaklı Si(100) yüzeyi, yapışma, toplam durum yoğunluğu, yerel durum yoğunluğu, molekül biçiminde yapışma, çözülen türde yapışma. vı