The Water adsorption on silicon (110) surface

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1992

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: IMAD AL-HAYEK

Danışman: ŞENAY KATIRCIOĞLU

Özet:

oz SUYUN SİLİKON (110) YÜZEYİNE BAĞLANMASI AL-HAYEK, Imad Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. Şenay Katırcıoğlu Augustos, 1992, 55 sayfa. Bu çalışmada, H atomu ve suyun (H2O), Si(110) yüzeyine bağlanması ampirik sıkıbağ yöntemiyle araştırılmıştır. Si(110) yüzeyi tek hidrojenli faz için H atomlarıyla kaplanmıştır. Si(110) yüzeyi üzerindeki tek hidrojenli faz için hesaplanan durum yoğunlukları, oda sıcaklığı, morötesi electron sökme spektrumunu, açıklamaya yeterlidir. Si(110) yüzeyine H2O molekülünün bağlanma durumlarını anlamak için bir dizi durum hesaplamaları yapılmıştır. İR, EELS, UPS deneysel sonuçların ve daha önce yapılan durum yoğunluğu hesaplarının ışığında, yerel durum yoğunluğu hesaplamaları, molekül biçiminde bağlanmayı ihtimal dışı tutarak, H20'nun Si(110) yüzeyine çözülen türde bağlanmayı açığa çıkarmıştır. Anahtar Kelimeler: Ampirik sıkıbağ yöntemi, Si(110) (1x1) yüzeyi, Si(110) - H (Tekhidrojemffaz), Si(110)-H2O (molekül biçiminde bağlanma), Si(110)-OH-H(çözülen türde bağlanma), TDOS (toplam durum yoğunluğu), LDOS (yerel durum yoğunluğu). Bilim dalı sayısal kodu: 404.05.01 vı