Metal-semiconductor contact resistance and measurement techniques
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2002
Tezin Dili: İngilizce
Öğrenci: NURDAN DEMİRCİ
Danışman: İBRAHİM GÜNAL
Özet:oz METAL-YARIİLETKEN KONTAK DİRENCİ VE OLCUM YÖNTEMLERİ Demirci, Nurdan Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. İbrahim Günal Haziran 2002, 90 sayfa Bu çalışmada, Al/p-Si kontak direnci ölçmek ve bu direnci etkileyen faktörleri incelemek için üç temel yöntem olan Cox ve Strack, Three-Terminal (3TM), Transmission Line (TLM) yöntemleri kullanılmıştır. Tavlama sıcaklığının ve iyon ekiminin kontak direncine (Re) ve öz kontak direncine (pc) olan etkileri de ayrıca incelenmiştir. 400°C nin altında tavlanan kontaklar Schottky engel karakteristiği göstermiştir. Tavlanmamış ve 200°C de tavlanmış kontakların engel yüksekliği yaklaşık 0.74 V, 300°C de tavlanmış olanlarınki ise 0.61 V olarak saptanmıştır. İyon ekimi yapılmamış örnekler için, tavlama işlemi kontakların ohmik özelliğini arttırmakla kalmayıp kontak direncini de düşürmüştür.Cox ve Strack yöntemi alt yüzeyinde geniş, üst yüzeyinde de değişik çaplardaki dairesel kontaklara sahip örneklerde uygulanmıştır. Bu yöntem kullanılarak elde edilen pc değeri 0.52 Q.cm2 dir. Re nin toplam dirence katkısının kontak çapına bağlı olduğu ve kontak çapının azalması ile Re nin yükseldiği saptanmıştır. Bu da Cox ve Strack yönteminin geniş alanlı kontaklar için uygun olduğunu göstermektedir. 3TM ve TLM yöntemlerinde dikdörtgen şeklindeki iki kontak arasındaki toplam direnç kullanılarak Re hesaplanır. 3TM ile hesaplanan pc değeri 0.69 Q.cm2 ve TLM içinse 0.73 Q.cm2 dir. İyon ekimi sadece kontakları iyileştirmekle kalmayıp aynı zamanda pc değerlerini de 3TM için 0.23 Q.cm, TLM için de 0.27 Q.cm2 ye düşürmüştür. ANAHTAR KELİMELER: Al/p-Si Kontak, Kontak Direnci, Öz Kontak Direnci, Cox ve Strack Yöntemi, Three-Terminal Yöntemi, Transmission Line Yöntemi. VI