Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2000
Tezin Dili: İngilizce
Öğrenci: TOLGA YALÇIN
Danışman: CENGİZ BEŞİKCİ
Özet:oz Gao.51Ino.49P/I1tGa1-sAs/GaAs MODÜLE KATKILI ALAN ETKİLİ TRANSİSTORLERİN FABRİKASYONU VE KARAKTERİZASYONU Yalçın, Tolga Yüksek lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Gengiz Beşikçi Nisan 2000, 64 sayfa ALGaj-jAs/InGaj-yAs/GaAs malzeme sistemine alternatif olarak Gao51In049P/ Inx^Ga1-xAs/GaAs malzeme sisteminin MODFET uygulamaları için fizibilitesi Ga0,51In0,49p.^P/Inx^Ga1-x^As/GaAs direçlerin ve Ga0.51In 0.49P/In 0.15Ga O.85As/ GaAs MODFETlerin I-V karakterizasyonu yoluyla incelendi. Heteroyapılar Gaz Kaynaklı Işın Epitaksisi tekniği ile büyütüldü. Elde edilen sonuçlar Ga 0.51^Ino.49^P katmanında DX merkezi benzeri özellikler gösteren doğal bir tuzak olduğunu ve bu tuzağın tavlanmış örneklerde daha etkili hale geldiğini gösterdi. Ga0.51^InO.49^P/ In0.15Gao.85As/GaAs MODFETlerde görülen süreğen fotoiletkenliğe (PPC) ve eşik voltajındaki kaymalara bu tuzağın sebebiyet verdiği düşünülmektedir. Gao.51Ino.49^P/Inx^Ga1-x^^As/GaAs sistemi oldukça yüksek iki boyutlu elektron gazı yoğunluğu ve MODFET transkondüktansı (7um kapı uzunluğu için 229 mS/mm) ¦sec ıfe§M(§ĞRirrfei wwutvermesine rağmen, Ga^In^P malzemesinde aygıt üretimi sırasında oluşan bozulmalar önemli bir sorun teşkil edebilmektedir. Bununla birlikte, A^Gaj-^As/IriyGaj-yAs/ GaAs malzeme sistemiyle karşılaştırıldığında, Ga05îlıa0A9P/ Ir^Ga^j^As/GaAs malzeme sisteminin büyütülmesi ve MöDFET uygulamalarında kullanılması üzerine sınırlı sayıda çalışma yapılmıştır. Bu çalışmada elde edilen sonuçlar bu malzeme sisteminin şu anda gördüğünden daha fazla ilgiyi hak ettiğini göstermektedir. Anahtar Kelimeler: MODFET, HEMT, TEGFET, DX CENTER, PPC, ALGAAS/GAAS, GAINP/INGAAS/GAAS. vı