Advanced monte carlo modeling of III-V field-effect transistors
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 1999
Tezin Dili: İngilizce
Öğrenci: AYDIN TURABİ BAKIR
Danışman: CENGİZ BEŞİKCİ
Özet:oz III-V ALAN ETKİLİ TRANSİSTORLERİN MONTE CARLO MODELLEMESİ Bakır, Aydın Turabi Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Cengiz Beşikçi Ocak 1999, 74 sayfa Yarı-iletken aygıt modelleme ve simulasyon teknikleri günümüz mikroelektronik teknolojisinde önemli bir role sahiptir. Bu teknikler tasarımcıya fabrikasyon öncesinde modern aygıt ve devrelerin çalışmasını inceleme ve tasarım fikirlerini test etme imkanı verir. Bu çalışmada perdelemenin polar optik fonon saöılması üzerindeki etkileri de dikkate alınarak modüle katkılı alan etkili transistörler (MODFET) için geliştirilmiş bir ensemble Monte Carlo simulasyon programı oluşturulmuştur. GaAs iletim bandının üç vadisi, T vadisindeki kuantizasyon ve kuantum kuyusundaki en düşük 3 altbant dikkate alınmıştır. Daha yüksek enerji seviyelerinin 3 boyutlu özellikte olduğu varsayılmıştır. Gerçek konum transferi de hesaba katılmıştır. Monte Carlo programı detaylı olarak tasvir edilmiş ve simulasyon sonuçlan sunulmuştur. Alınan sonuçlara göre aygıt performansının doğru olarak belirlenebilmesi için MODFET Monte Carlo simulasyonlarmda genellikle ihmal edilen perdeleme etkilerinin hesaba katılması gerekmektedir. Perdeleme band içi polar optik fonon saçılma hızlarım düşürerek aygıt boyunca bandpopülasyonlannı önemli miktarda değiştirmektedir. Bu etkilerin ihmal edilmesinin yeterlice yüksek iki boyutlu elektron gazı yoğunluğuna sahip MODFETlerin kesim frekansının gerçekte olduğundan daha düşük olarak tahminine yol açması beklenilmektedir. Anahtar Kelimeler: Aygıt Modellemesi, Monte Carlo, perdeleme, polar optik fonon saçılması, MODFET, MESFET. VI