Investigation on ionicity and its effect on charge carrier selectivity for N-type crystalline silicon solar cells

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2022

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: BASIL MOHAMED MAHMOUD ELDEEB

Danışman: RAŞİT TURAN

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Optoelektronik cihaz performansı, iki malzeme arasındaki bant hizalaması tarafından yönetilir. Metal bir kapak ile birlikte arayüzey katmanları, yük taşıyıcı seçiciliğini ve dolayısıyla yarı iletken cihaz performansını belirler. Hem deneysel hem de teorik olarak çok çeşitli katı hal yüzeyleri ve heteroeklemler üzerinde yapılan araştırmalar göz önüne alındığında, bant aralığı enerjisi ve bant genişliği ile ölçülebilen elektron yerelleştirilebilirliğinin, kurallara uyma derecesinde ayrılmaz bir rol oynadığı bulunmuştur. Schottky-Mott kuralı ve dolayısıyla arayüzlerin optoelektronik özellikleri. Alüminyum ve n-tipi silikon arasında ultra ince ara yüzey katmanları olarak yeni iyonik kristalleri (NaF ve NaCl) önererek ve kullanarak, Fermi düzeyinde sabitlemeyi ve silikon yüzeyini yoğun bir şekilde dopinge benzer bir etkiye sahip temasları gösterdik. Optimalin altında pasifleştirme ile NaF için %17,3 verimlilik elde etmeyi başardık. Düzlemsel arayüzler için, sınırlar arasında elektron taşınmasını arttırmak için temaslar için bir strateji önerilmiştir.