2-6 GHz gallium nitride hemt mmic amplifier design

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, ELEKTRİK VE ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2022

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: MERT ÇAKMAK

Danışman: MEVLÜDE GÜLBİN DURAL ÜNVER

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Geniş bant radyo frekansı güç yükselteçleri iletişim, radar ve elektronik harp gibi birçok sistemin kritik parçalarındandır. Çip boyutu, çıkış gücü, verimlilik ve güvenilirlilik bu elektronik sistemlerin performansının anahtar noktalarıdır. Sistem gereksinimlerini sağlamak için son zamanlarda Galyum Nitrür (GaN) HEMT teknolojisi sıklıkla kullanılmaktadır. GaN HEMT prosesi geniş bant aralığı özelliği sayesinde mikrodalga frekanslarında yüksek çıkış gücü, yüksek verimlilik ve güvenilirlilik performansı sağlamaktadır [1]. Bu tezde, 5 W çıkış güçlü, 40% yük ekli verimliliğine sahip 2-6 GHz GaN MMIC sürücü güç yükselteci tasarlanmıştır. Geniş bantlı yükselteçlerde, harmonik etkilerden kaynaklı olarak, istenmeyen performans düşüşleri gözlemlenebilir. İlk üretimde hedeflenen RF performanslarını elde edebilmek için, harmonikler dikkate alınarak, eşlemeler değiştirildi. Tasarım sırasında Advanced Design System (ADS) programı kullanılmıştır. Fabrikasyon ve ölçüm aşamaları da gerçekleştirilmiştir. Bu çalışmada, benzer örneklere kıyasla dikkate değer RF performansları elde edilmiştir.