Indium antimonide p-in photodedectors grown on galium arsenide cooted silicon substroties by molecular beam epitaxy

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1999

Öğrenci: AHMET TEVKE

Danışman: CENGİZ BEŞİKCİ