Indium antimonide p-in photodedectors grown on galium arsenide cooted silicon substroties by molecular beam epitaxy

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1999

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: AHMET TEVKE

Danışman: CENGİZ BEŞİKCİ

Özet:

oz... MOLEKULER IŞIN EPITAKSISI İLE GALYUM ARSENİK KAPLI SİLİKON TABAN ÜZERİNE BÜYÜTÜLMÜŞ İNDİYUM ANTİMON KIZILÖTESİ p-i-n FOTODEDEKTÖRLER TEVKE, Ahmet Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Cengiz Beşikçi ı Ocak 1999, 102 sayfa Bu çalışmada, moleküler ışın epitaksisi ile GaAs kaplı Si üzerine büyütülmüş 3-5 um kızılötesi InSb fotodedektörlerin karakteristikleri, kaçak akım analizleri ve 8x8 'lik bir prototip dizin için gerekli okuma devresi tasarımı bildirilmiştir. InSb ve GaAs/Si arasındaki yüksek örgü uyumsuzluğuna rağmen, mükemmel InSb kalitesi ve iyi sayılabilecek dedektör performansı elde edilmiştir. Yeterince düşük akımın yanında, 400x80 um2 dedektörler 77 K sıcaklıkta 1x1 04Q sıfır gerilim direncine, ve 4. 5 um dalga boyunda, 1.2x1 04 V/W gerilim responsivitesine ulaşmıştır. Bu sonuçlar Si taban üzerine büyütülmüş InSb fotodedektörler için bilinen en iyi sonuçlardır ve Si taban üzerine monolitik entegre edilmiş geniş alanlı InSb odak düzlem matrisler için ümit vericidir. 77 K sıcaklıkta karanlık akımın ana bileşenlerinin, paralel akım ve tünelleme akım olduğu tespit edilmiştir. Dahayüksek sıcaklıklarda (125 K), sıfır gerilim direnci-alan çarpımını (RoA), sınırlayan akım bilşenlerinin, fakirleşmiş alandaki (depletion region) çoğalma ve birleşme (generation-recombination) akımı ile yüzey difüzyonu (surface diffusion) akımı olduğu gözlemlenmiştir. 8x8 'lik bir dizinin okuma devresi olarak ticari bir çoğullayıcı kullanılmış ve gerekli destekleyici devrelerin devre şemaları tasarlanmıştır. Anahtar Kelimeler : fotodedektör, InSb, odak düzlem matrisi VI