Synthesis and characterization of a novel form of luminescent silicon


Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1994

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: Ömer Dağ

Danışman: HÜSEYİN İŞÇİ

Özet:

öz IŞIMA YAPABİLEN SİLİKONUN YENİ HALİNİN SENTEZİ VE KARAKTERİZASYONU DA?, Ömer Doktora Tezi, Kimya Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Hüseyin İŞÇİ Haziran, 1994, 126 sayfa Disilan, Sİ2H6 ve Digerman, Ge2Hö moleküllerinin asit zeolit Y (HY) nin 13 Â luk süper kafeslerinde ve Ge2Hg nin mordenitin 6.5 Â x 7.0 Â eliptic tek boyutlu temel kanallarında kimyasal depolanmaları ve Silikon, germanyum nanoklastırl'arma dönüştürülme çalışmaları gerçekleştirilmiştir. Bu yöntemde, Sİ2Hg molekülleri HY içerisinde Bnjmsted asitlerle tepkimeye girerek bağlanırlar. Kontollü termal tepkimeleri, bir seri H2 indirğeme-çıkarma tepkimesi sonrasında hidrojen veya oksijen kaplanmış Silikon nanoklastırlanm oluşturur ( SinHx-Y olarak ifade edilen Mastırlarda, n/2 zeolit-Y nin a-kafesindeki yükleme sonrasında depolanan Sİ2H6 sayısını göstermektedir ). Oluşan maddeler hava ve suya karşı kararlı ve oda sıcaklığında kırmızı-kavuniçi fotolüminesanttır. Halbuki, C^Hg molekülleri Br^nsted asitlerle hidrojen-bağı yaparak tutunmaktadır. Doymuş yüklemeler, HY nin birim hücresinde 32, HNaM de ise 4Ge2Hg moleküllüne karşılık gelmektedir. Vakum altında termal tepkimeleri, bir seri H2 açığa çıkararak klastır oluşumunu sağlarken, oluşan klastırlarm yüzeylerinin boş (çıplak) olduğu saptanmıştır. PXRD, FTIR, MS, SEM-EDX, EXAFS, XANES, XPS ve soğurma spektrumlan, zeolit içerisinde ZOH - tTjGeGeE^ gibi hidrojen- bağı yapmış ön ürünlerin 200°C de germanyum nanoklastırlannı üretiği sonucunu vermiştir. Bu tezde, klastırlar Ge^Y ve Gem-NaM olarak ifade edilecektir ( n/2 zeolit-Y nin a-kafesindeki, m/2 ise mordenitin birim hücresindeki yüklenmiş Ge2Hö sayısına göreceli olarak karşılık gelmektedir ). Sİ2Hö/Ge2H6 karşımlan HY içerisinde Sij_xGex alaşım nanoklastırlanna dönüştürülmüştür. Yukarda belirtilen teknikler yardımıyla 0