Electrical properties of silicide I silicon diodes

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1994

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: NURTEN AKMAN

Danışman: RAŞİT TURAN

Özet:

ÖZ SİLİSİD/SİLİSYUM DİYOTLARIN ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİ AKMAN, Nurten Master Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Assist. Prof. Dr. Raşit TURAN Ağustos, 1994, 123 sayfa. İV- tipi ve p- tipi silisyum üzerine oluşturulan ve teknolojik önemi olan bazı sil- isid/silicon diyotlarm elektriksel özellikleri incelendi. Akım- gerilim, sığa- gerilim ve aktif enerji ölçümleri kullanılarak bu diyotların engel yükseklikleri ve diyot kalite faktörleri incelendi. Üretilen CrSi2İSi, Pd.2Si/Si, PtSi/Si diyotlarının çoğu ideal'e yakın özellikler gösterdi. İdeal durumdan sapmalar incelendi ve tartışıldı. Özellikle, 3-5 um lik atmosfer penceresinde termal resimleme uygulamalarında kızılötesi ışık detektörü olarak kullanılan PtSi/Si diyotları mükemmel karakteristikler sergiledi. Anahtar Kelimeler : Silisitler, Schottky engel yüksekliği, Kızılötesi detektörler, Buharlaştırma, Çığılama. Bilim dalı sayısal kodu : 404.05.01 iv