The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1994

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ

Danışman: MEHMET TOMAK

Özet:

ÖZ MODULASYON KATKILI HETERO-YAPILARIN ELEKTRONİK VE TRANSPORT ÖZELLİKLERİ ELDEGNI, Mohamed Ayman Magdy Doktora Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet TOMAK Haziran 1994, 74 sayfa. Modulasyon- katkılı InGaAs/InAlAs hetero- yapıların alt bantları kendisiyle uyumlu varyasyonel yöntemle hesaplanmıştır. Çok- cisimcik değiş- tokuş etkileri yerel-yoğunluk yaklaşımı içinde dikkate alınmıştır. GaAs/AlGaAs heteroyapılarında yük taşıyıcılarının nötral yabancı atomlardan saçılmaları için sürüklenme mobilitesi hesaplanmıştır. Nötral ya bancı atomlardan saçılma ile ümitlenmiş mobilitenin yabancı atom pozisyonuna, yoğunluğuna ve sıcaklığa bağımlılığı bulunmuştur. Gözlenen bağımlılıklar fiziksel terimlerle açıklanmıştır. Anahtar kelimeler : düşük- boyutlu yarı iletkenler, kendisiyle uyumlu alan, trans port, nötral yabancı atomlar, mobilite. Bilim dalı sayısal kodu : 404.05.01 iv