Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2003
Öğrenci: AYŞE SEYHAN
Danışman: RAŞİT TURAN
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Fotoluminesans (PL) spektrumunun kullanımı ile yarıiletkenlerin elektrisel yapıları ve optiksel oluşumları hakkında büyük ölçüde bigi edinilebilir. Kadmiyum Sulfür (CdS) ve Galyum Selen (GaSe) ilginç PL spektrumuna sahiptir. Özellikle GaSe’nin incelenmesi, sahip olduğu anisotropi nedeniyle, yeni deney düzenekler gerektirmektedir. Bu tez çalışmasında bu deney düzenekleri tasarlanmış, üretilmiş ve kullanılmıştır. Bu tezde hem CdS hem de GaSe’nin fotoluminesans spektrumu sıcaklığa bağlı olarak incelendi. Bu maddeler hakkında ilginç sonuçlar gözlendi. Bu sonuçlar deneysel olarak analiz edildi ve kristallerin bant yapıları dikkate alınarak tanımlandı. Her iki kristalin enerji bandı eksitonik ışımadan faydalanılarak belirlendi. Fotolüminesans spektrumunda görülen çeşitli tepe değerleri ve muhtemel kaynakları çalısıldı. Verici - Alıcı düzey geçişlerinin düşük sıcaklıklarda CdS için etkili olduğu vi bulundu. Kırmızı ışımada ortaya çıkan bir geçiş¸ gözlendi ve bu CdS kristali içindeki S boşluklarından kaynaklanan verici düzeyi olarak yorumlandı. GaSe örneğinde, enerjisi bant aralığı enerjisine yakın, fotoluminesans tepeleri gözlendi. Bu tepeler GaSe’nin doğrudan ya da dolaylı bant kenarlarından kaynaklı bağlı eksitonlar olarak yorumlandı. Bu çalışmadaki çarpıcı bulgu kristal eksenine göre değişik açılarda ölçülen GaSe örneğin fotolüminesans spektrumudur. Dedektörün ve lazer ışınının açısal konumu değiştirildiği zaman fotoluminesans spektrumunda önemli değişiklikler gözlendi. Bu değişikliklerin nedeni olan optiksel anizotropi ölçüldü ve GaSe örneğin bant yapısı seçme kuralları dikkate alınarak tartışıldı.