Indium antimonide infrared p-i-n photodetectors grown on galium arsenide coated silicon substrates by molecular beam epitaxy

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1999

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: Ahmet Tevke

Danışman: CENGİZ BEŞİKCİ