Electronik properties of semiconductor heterojunctions

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1992

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: MARWAN İZZAT EL KAWİNİ

Danışman: MEHMET TOMAK

Özet:

Altbant elektronlarının hareketlerinin kuantizasyonu ile katkılanmamış ve modülasyon- katkılanmış heteroyapılarda yabancı atomlarla ilgili özellikler çalışılmıştır. Tezin birinci kısmında, katkıbağlanma enerjileri, tedirgenmemiş hetero- yapılardaki yabancı atom elektronlarının fotoiyonlaşması ve kutuplanması tartışmaktadır. Tezin asıl ağırlığı modülasyon-kalkılı heteroyapılann fiziği üzerinedir. Potansiyel profili, Fermi enerjisi, altbant elektron yoğunluğu ve bunların değişik cihaz parametrelerine bağımlılığının bulunması için Schrödinger ve Poisson denklemleri varyasyonel bir yaklaşımla ve kendi kendisiyle uyumlu bir şekilde çözülmüştür. Sonuçlar değişik cihaz parametrelerinin heteroyapıîarın temel özelliklerini etkilediklerini açıkça göstermektedir ve kullanılan teorik yaklaşım bu özellikleri optimize etmede son derecede faydalıdır. Anahtar kelimeler: düşük-boyutlu yan iletkenler, Sığ yabancı atomlar, foto-iyonlaşma, kutuplanma, modülasyon-katkılama.Bilim dalı sayısal kodu : 404.05.01 VI