Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2000
Tezin Dili: İngilizce
Öğrenci: SELÇUK ÖZER
Danışman: CENGİZ BEŞİKCİ
Özet:oz Özer, Selçuk Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Cengiz Beşikçi Temmuz 2000, 89 sayfa Modüle katkılı alan etkili tranzistörler günümüzde mikrodalga, milimetre dalga devrelerinde ve yüksek hızlı sayısal elektronik uygulamalarda yaygın bir şekilde kullanılmaktadır. Çeşitli araştırma grupları değişik katman yapılarında tasarımlar gerçekleştirmişler-ve bunları test etmişlerdir. Bu yapıların performans optimizasyonu için hassas ve detaylı analiz edebilen modellere ihtiyaç vardır. Bu tez çeşitli katman yapılarındaki modüle katkılı alan etkili GaInP/InxGaı.xAs/GaAs tranzistörlerinin performanslarının model bazlı karşılaştırılmasını sunmaktadır. Bu amaçla hassas bir Monte Carlo simülasyon programı geliştirilmiştir. Bu program, en alt üç alt-bandı içerecek şekilde boyut kuantizasyonunu, bütün önemli saçılma mekanizmalarım, detaylı band yapılarını ve gerçek konum transferini hesaba katar. Programın hassasiyetini arttırmak için, Schrödinger ve Poisson denklemlerinden gerçek dalga fonksiyonları elde edilerek iki boyutlu saçılma olasılıkları hesaplanmıştır.Sonuçlar göstermektedir ki, kesme frekansında %40'lık ve transkondüktansda %100'lük bir gelişim sağlayarak, delta katkılı yapılar homojen katkılı yapılara üstünlük sağlamaktadır. İyi tasarlanmış basit katman yapılı delta katkılı tranzistörlerin, 77K sıcaklıkta 2750 mS/mm transkondüktansa ve 100 GHz kesme frekansına ulaşılabileceği simülasyon sonuçlarında öngörülmektedir. 50Â'luk ayırıcı katmanın yapıya katılması, aygıt performansını 77K sıcaklıkta farkedilebilir bir oranda azaltmaktadır. Kanal in mol katsayısı pratik olarak en yüksek (-0.3) ve olası en geniş kanala (~70Â) sahip delta katkılı yapıların en iyi katman yapılan olduğu sonucuna varılmıştır. Anahtar Kelimeler: Aygıt Modellemesi, Monte Carlo, Delta Katkılı MODFET, Homojen Katkılı MODFET. VI