SHALLOW IMPURITIES IN HETEROJUNCTIONS

---

Atıf İçin Kopyala

ELKAWNI M., TOMAK M.

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, cilt.53, sa.2, ss.305-308, 1992 (SCI-Expanded)

• Yayın Türü: Makale / Tam Makale
• Cilt numarası: 53 Sayı: 2
• Basım Tarihi: 1992
• Doi Numarası: 10.1016/0022-3697(92)90060-q
• Dergi Adı: JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS
• Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
• Sayfa Sayıları: ss.305-308
• Orta Doğu Teknik Üniversitesi Adresli: Evet

Özet

The shallow impurity states in Si/SiO2 and GaAs/Ga1-xAlxAs heterojunctions are studied variationally using an improved Fang-Howard trial wave function originally proposed for the Si/SiO2 system.