SHALLOW IMPURITIES IN HETEROJUNCTIONS
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, cilt.53, sa.2, ss.305-308, 1992 (SCI-Expanded, Scopus)
- Yayın Türü: Makale / Tam Makale
- Cilt numarası: 53 Sayı: 2
- Basım Tarihi: 1992
- Doi Numarası: 10.1016/0022-3697(92)90060-q
- Dergi Adı: JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS
- Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
- Sayfa Sayıları: ss.305-308
- Orta Doğu Teknik Üniversitesi Adresli: Evet
Özet
The shallow impurity states in Si/SiO2 and GaAs/Ga1-xAlxAs heterojunctions are studied variationally using an improved Fang-Howard trial wave function originally proposed for the Si/SiO2 system.