Growth of planar non-polar {1-1 0 0} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)

İmer M. B., Denbaars S., Speck J., Nakamura S.

Patent, BÖLÜM G Fizik, Buluşun Tescil No: 7338828 , Standart Tescil, 2008, Tescil Edildi

• Fikri Mülkiyet: Patent
• Başvuru Yapılan Ülke/Kuruluş: Amerika Birleşik Devletleri
• Buluşun Durumu: Tescil Edildi
• Başvuru Tarihi: 6.03.2006
• Tescil Tarihi: 4.03.2008