Internal photoemission and electrical transport in a silicide/silicon junction

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1997

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: ÖNDER S. ANILTÜRK

Danışman: RAŞİT TURAN

Özet:

ÖZ BİRSİLİSİD/SİLİSYUM EKLEMDE DAHİLİ FOTOEMİSYON VE ELEKTRİK TRANSPORT Anıltürk, Önder S. Tez Yöneticisi: Doç. Dr. RAŞİT TURAN Haziran 1997, 130 sayfa Geniş sıcaklık ve uygulanan voltaj aralığında, n-tipi ve p-tipi CrSİ2/Si Schottky eklemlerinde dahili fotoemisyon ve elektrik transport araştırıldı. Isısal emisyon, tünelleme, rekombinasyon ve sızıntı gibi akım mekanizmalarını gerektiren elektrik transport, çoğunlukla kullanılan deneysel tekniklerin yanında, gözlemlerin bilgisayarda modellenmesiyle, detaylı bir şekilde çalışıldı. Diodların optiksel analizi için, dahili fotoemisyon spektroskopisi kullanıldı. Arayüzün elektronik yapısının daha derin kavranması için, optik ve elektrik ölçümlerin karşılaştırılması böylece mümkün olmuştur. Ölçümlerin ve data analizinin doğruluğu için; her iki optik ve elektrik ölçüm teknikleri, bilgisayar arayüzü ve çeşitli programlarla geliştirildi. Anahtar kelimeler: Silisitler, akım transportu, dahili fotoemisyon, Schottky engeli, kızılötesi dedektörler, bilgisayar arayüzü. iv