Internal photoemission spectroscopy for PtSi/si and Pt/SiGe schottky type infrared detectors

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1999

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: BÜLENT ASLAN

Danışman: RAŞİT TURAN

Özet:

oz PtSi/Si VE Pt/SiGe SCHOTTKY TİPİ KIZILÖTESİ ALGILAYICILAR İÇİN DAHİLİ FOTOEMİSYON SPEKTROSKOPİSİ Aslan, Bülent Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Töneticisi: Doç. Dr. Raşit Turan Eylül 1999, 106 sayfa 3-5 um atmosfer penceresinde kızılötesi algılayıcı olarak kullanılan yada önerilen PtSi/Si ve Pt/SiGe eklemlerinin dahili fotoemisyon mekanizmaları çalışıldı. Taşıyıcıların silisit filmin yüzeylerinden çoklu yansımasını ve fononlarla ve kusurlarla çarpışmasını içeren dahili fotoemisyon yöntemi, gözlemlerin bilgisayarda modellenmesiyle ayrıntılı olarak ele alındı. Dahili fotoemisyon tayflarından, eklemlerin engel yükseklikleri bulundu. Sıcaklık değişimi. ışık yoğunluğu değişimi, önden ve arkadan aydınlatma gibi çeşitli deneysel koşulların dahili fotoemisyon üzerindeki etkisini anlamak için deneyler düzenlendi. Dahili fotoemisyon vasıtasıyla Siı_xGex katmainındaki gerilmenin, ve dolayısıyla gevşemenin ^ etkileri.«araşünldı. Eklemlerin akım-gerilim (I-V) özellikleri de ölçüldü ve dâhili fotoemisyon spektroskopisi ölçümleriyle karşılaştırıldı, r. r?1*.-? % ^ v w Anahtar kelimeler: PtSi, metal-SiGe eklemleri, dahili fotoemisyon, kızılötesi algılayıcılar, Schottky eklemi. IV