Photoionization and polarization of electrons in bulk and low-dimensional semiconductors

---

Tezin Türü: Doktora

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1991

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: KHALED FAİSAL ILAİWİ

Danışman: MEHMET TOMAK

Özet:

YARIİLETKEN VE DÜŞÜK-BOYUTLU YARIİLETKENLERDEKİ ELEKTRONLARIN FOTO-İYONLAŞMASI VE POLARİZASYONU ILAIWI, Khaled Faisal Fen ve Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Doktora Tezi Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet Tomak 84 sayfa, Şubat 1991 ÖZET Foto- iyonlaşma tesir kesitinin foton enerjisine bağımlılığı yarıiletkenlerdeki yabancı atomlar için değişik potansiyel modelleri kullanılarak hesaplanmıştır. Anizotropi etkileri dikkate alınmış ve spektrumu önemli bir şekilde etkilediği gösterilmiştir. Sonlu GaAs/Ga1-sAl2As kuantum kuyularındaki sığ verici yabancı atomların kutuplanabilirliği Hasse varyasyonel yöntemle etkin kütle yaklaşımında hesaplanmıştır. Kutuplanabilirliğin magnetik alana bağımlılığı incelenmiştir. Elektrik alan altındaki bir boyutlu potansiyel kuyusunda bulunan altbant elektronun kutuplanması nümerik olarak hesaplanmıştır. Literatürde rapor edilen negatif kutuplan manın, sonsuz kuantum kuyusu ile elektrik alanın sadece kuyu içinde etkili olduğu sonlu kuyulardaki geçerliliği gösterilmiştir. Sonlu ve serbest elektrik alan durumu için bütün alan değerlerinde pozitif kutuplanma bulunmuştur. Anahtar kelimeler : düşük- boyutlu yarı iletkenler, Sığ yabancı atomlar, foto- iyonlaşma, kutuplanma Bilim dalı sayısal kodu : 404.05.01 iv