Synthesis of silican-germanium by high dose germanium ion implantation into silican

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1999

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: MEHMET ŞAHİN

Danışman: RAŞİT TURAN

Özet:

oz SİLİSYUM İÇİNE YÜKSEK DOZ GERMANYUM İYON EKİMİ İLE SİLİSYUM-GERMANYUM SENTEZLENMESİ Şahin, Mehmet Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Raşit Turan Nisan 1999, 111 sayfa Silisyum örneği içinde bir Silisyum-Germanyum tabakası sentezlemek için iyon ekme tekniği kullanıldı. SiGe tabakası, Ge iyonu ekerek yüksek sıcaklıkta fırınlamanın ardından basan ile büyütüldü. SiGe tabakasının varlığı SIMS ölçümü ile kanıtlandı. XRD ölçümleri kristalde bir gerilmenin olduğunu gösterdi. Bunun sebebi SiGe kristal sabitinin Si kristal sabitinden daha büyük olmasıdır. Ayrıca, deneysel bulgularla beklenen sonuçlan karşılaştırmak için TRIM simülasyon programı kullanıldı. Sonuçlar beklenenlerle uyumludur. Kapasitans-Voltaj (C-V) ve İletkenlik- Voltaj (G-V) ölçümleri ile Ge ekilmiş Si ve saf Si üzerinde üretilen MOS kapasitörleri incelendi. Ge ekilmiş örneklerin C-V ve G-V sonuçlannı ve deneysel gözlemlerin diğer özelliklerini açıklamak için bir band yapısı modeli ve buna bağlı eşdeğer devre geliştirildi. Bu model ölçümlerin sonuçlarının başanlı bir şekilde açıklanmasını sağladı. Anahtar Kelimeler: İyon Ekme, MOS kapasitörleri, Silisyum-Germanyum. iv