The k.p. method for electronic structure of semiconductors


Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 1991

Tezin Dili: İngilizce

Öğrenci: Ahmad Nassar

Danışman: MEHMET TOMAK

Özet:

NASSAR, Ahmad Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Master Tezi Tez Yöneticisi: Prof.Dr. Mehmet TOMAK 68 Sayfa, Haziran 1991 ÖZET Bu çalışmada, yarı iletkenlerin bant yapılarının hesaplanmasında kullanılan k.p metodu için bir derleme yapılmıştır. Method GaAs, Si, Ge ve küçük bant aralıklı InSb, a-Sn, Hg. _ Cd Te yarıiletkenlerine uygulanmıştır. İletkenlik bandının parabolik olmayışının sığ verici yabancı atom durumlarına etkisi çalışılmıştır. Anahtar Kelimeler: k.p metodu, bant yapısı, yarıiletkenler, sığ yabancı atomlar. Bilim Kodu: 404.05.01 -iv-